Download e-book for iPad: Aktive elektronische Bauelemente: Aufbau, Struktur, by Leonhard Stiny

By Leonhard Stiny

ISBN-10: 365814386X

ISBN-13: 9783658143862

ISBN-10: 3658143878

ISBN-13: 9783658143879

Das Werk bietet ein umfangreiches Wissen über diskrete und integrierte Bauelemente der Halbleitertechnik. Beim Entwurf elektronischer Schaltungen sind gründliche Kenntnisse über eingesetzte Bauelemente erforderlich, um sowohl technisch als auch wirtschaftlich beste Lösungen zu finden und fehlerfreie Produkte zu realisieren. Als foundation werden die theoretischen und physikalischen Grundlagen der Halbleitertechnik vermittelt. Für alle Halbleiter-Bauelemente werden Aufbau, Wirkungsweise, Kenngrößen, Eigenschaften und Charakteristiken erläutert. Mögliche Anwendungen werden unter Bezug auf die Praxis aufgezeigt. Das Buch kann im Studium, in der Lehre sowie als Nachschlagewerk in der Praxis verwendet werden.

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Bei Raumtemperatur (300 K) sind alle Störstellenniveaus (alle Dotieratome) ionisiert und tragen zur Leitung bei. In diesem Falle ist n D nD . Eine weitere Steigerung durch Temperaturzufuhr ist praktisch nicht möglich. Dieser Bereich wird daher Störstellenerschöpfung genannt. 6 Störstellenleitung 37 Abb. 21 Temperaturabhängigkeit der Ladungsträgerdichte eines Halbleiters; TL Ä T Ä TH : Betriebstemperaturbereich für dotierte Halbleiterbauelemente Abb. 22 Spezifischer Widerstand in Abhängigkeit der Temperatur Wird die Temperatur weiter gesteigert, so macht sich zunehmend die Eigenleitung bemerkbar.

Außerdem ist die Lage des Fermi-Niveaus und damit die Differenz zur Vakuumenergie von der Dotierung des Halbleiters abhängig und keine Materialkonstante. 4) 18 2 Grundlagen der Halbleiter Zur Veranschaulichung der Wirkung dieses Feldes auf Elektronen und Löcher2 kann man sich bildlich vorstellen, dass Elektronen wie eine „schwere Masse“ an einer geneigten Leitungsbandkante „herunterrollen“ (entspricht einer Abnahme ihrer Energie), während Löcher wie „Luftblasen“ an einer geneigten Valenzbandkante „aufsteigen“.

Die effektive Zustandsdichte NC;V beschreibt die Dichte der besetzbaren Zustände innerhalb des Energieintervalls E D kT von der Bandkante aus 28 2 Grundlagen der Halbleiter gemessen. Sie liegt in der Größenordnung von 1019 cm 3 . In Tab. 1 sind Werte von NC und NV einiger Halbleitermaterialien enthalten. Zu beachten ist, dass NC und NV in Gl. 23 wiederum temperaturabhängig sind. 25) In den Gln. 25 ist h jeweils das Planck’sche Wirkungsquantum. Die Größen mn und mp sind die durchschnittlichen effektiven Massen der Elektronen im Leitungsband und der Löcher im Valenzband des betrachteten Halbleitermaterials.

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Aktive elektronische Bauelemente: Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile by Leonhard Stiny


by James
4.5

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